三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns。 C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

表格12动态参数测试部分组成

序号 组成部分 单位 数量

1 可调充电电源 套 1

2 直流电容器 个 8

3 动态测试负载电感 套 1

4 安全工作区测试负载电感 套 1

5 补充充电回路限流电感L 个 1

6 短路保护放电回路 套 1

7 正常放电回路 套 1

8 高压大功率开关 个 5

9 尖峰抑制电容 个 1

10 主回路正向导通晶闸管 个 2

11 动态测试续流二极管 个 2

12 安全工作区测试续流二极管 个 3

13 被测器件旁路开关 个 1

14 工控机及操作系统 套 1

15 数据采集与处理单元 套 1

16 机柜及其面板 套 1

17 压接夹具及其配套系统 套 1

18 加热装置 套 1

19 其他辅件 套 1

产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3。