3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01～50mA 集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V；半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。 500～5000V±1.5%±2V； 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01～10μA 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

表格12动态参数测试部分组成

序号 组成部分 单位 数量

1 可调充电电源 套 1

2 直流电容器 个 8

3 动态测试负载电感 套 1

4 安全工作区测试负载电感 套 1

5 补充充电回路限流电感L 个 1

6 短路保护放电回路 套 1

7 正常放电回路 套 1

8 高压大功率开关 个 5

9 尖峰抑制电容 个 1

10 主回路正向导通晶闸管 个 2

11 动态测试续流二极管 个 2

12 安全工作区测试续流二极管 个 3

13 被测器件旁路开关 个 1

14 工控机及操作系统 套 1

15 数据采集与处理单元 套 1

16 机柜及其面板 套 1

17 压接夹具及其配套系统 套 1

18 加热装置 套 1

19 其他辅件 套 1

13）被测器件旁路开关 被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。 ?电流能力 DC 50A ?隔离耐压 15kV ?响应时间 150ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 14）工控机及操作系统 用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下： ?机箱：4Μ 15槽上架式机箱； ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL双核； ?主板：研华SIMB； ?硬盘：1TB；内存4G；（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0。 ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器； ?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 ?西门子PLC逻辑控制