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封装用IGBT测试仪批发价格合理「华科智源」

发布时间:2022-03-18 09:41:00        作者:华科智源

为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换?

当功率元件老化时,元件的内阻在导通时必定会加大,因而使温度升高,并使其效能降低。集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。长期使用后若温升过高时,会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加),进而使半导体的接口产生大量崩溃,而将此元件完全烧毁。当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,必须即早发现更换。


如何检测元件有老化的现象? 半导体元件有许多参数都很重要,有些参数如:放大倍率,触发参数,闩扣,保持参数,崩溃电压等,是提供给工程师在设计电路时的依据,在检测元件是否有老化的现象时,仅须测量导通参数及漏电流二项即可。现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。将量测的数据与其出厂规格相比较,就可判定元件的好坏或退化的百分比。 何谓半导体元件的参数?对元件使用上有何重要性? 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的,因其必须承受规格上的电压与电流,在某条件下,承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据,元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。


关断时间测试参数: 1、关断时间toff:5~2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off):5~2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf:5~2000ns±3%±3ns 4、关断能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon:10W~250kW 关断时间测试条件: 1、集电极电压Vce:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A;


5 包装、标志和运输 卖方负责整套设备的包装和运输,并负担由此产生的费用。包装与运输由专人负责,每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。出厂调试结束、出厂前预验收完成后,卖方将为每个柜子量身定做包装柜,保证包装坚固,能适应中国境内公路、铁路运输,并兼顾设备在现场保存时间的要求。包装与运输由专人负责,每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。


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