欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？ 当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。01～50mA集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。

8）高压大功率开关

?电流能力 200A

?隔离耐压 10kV

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

9）尖峰抑制电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

?电容容量 200μF

?分布电感 小于10nH

?脉冲电流 200A

?工作湿度 <70%

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500V连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。 ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脉冲时间：40~100ms可设定